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Z
存取時間：
儲存裝置的時間間隔特徵，可以測量與裝置通訊的時間。傳統硬碟的存取時間是由加速時間、搜尋時間、轉動延遲與傳輸時間的總和所決定。
ABL (全位元線)：
ABL (全位元線) 記憶體是由 SanDisk 在 ISSCC 2008
推出，和「傳統」記憶體相比，這種記憶體的速度大幅提升。在實際運作時，傳統記憶體會在所選的字元線 (WL)
中使用相隔的單元，但是此類設計能同時運用所有單位。這種全位元線 (ABL) 架構與傳統晶片相比，至少能提升 100%
的效能。其他技術也將效能帶往更高的境界。
埃 (Å)：
線性測量的單位，等於百億分之一公尺。人類頭髮的直徑約為 750,000 Å。
陣列：
在微影製程中，晶粒的重複形態，例如記憶單元陣列。
ATA 8 標準：
ATA-8 標準是用來支援資料集管理命令。此命令為推動 TRIM 功能的關鍵
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毀損區塊：
製造時有瑕疵或一段時間後無法使用的區塊。
毀損區塊管理：
標記並隔離損毀區塊的方法，讓系統無法使用損毀區塊。毀損區塊管理會將損毀區塊中的資料，儲存到備用區塊中。
位元：
資訊的單一基本單位。
區塊：
訊息的實體部分，由一連串微小 (區塊尺寸) 的位元組或位元組成，目的為傳輸訊息。儲存資料至 9
軌磁帶時，系統幾乎會統一採用在區塊中分隔/處理資料的方式，藉此輪換媒體，例如軟碟、硬碟、光碟與 NAND 快閃記憶體。在 NAND
快閃記憶體中，區塊定義了最小的清除單位。在硬碟中，區塊是磁軌與磁區的交叉點。區塊位址是以磁柱、磁頭與磁區 (CHS)
的編號來表示。
硼：
原子序數 5 的化學元素，用於矽的 P 通道摻雜。
位元組：
由 8 個位元組成的資料單位。
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通道：
在 N 型或 P 型半導體材料之間的 MOSFET 中的電流導體。
電荷攫取記憶電晶體：
浮動閘中的儲存電荷 (電子)。
電路：
電子元素與元件的結合，具有特定功能。
無塵室：
具備界定類別、用於製造產品的密閉區域，限制污染等級並控制濕度、溫度與空氣中的微粒。
CMOS (互補金屬氧化半導體)：
在相同矽基板內結合 P 通道與 N 通道 MOS 電晶體的製程。
晶體：
由重複、立體形態的原子、離子或分子組成的同質固體，組成部分間的距離固定，通常以外部平面為特徵。
磁柱：
硬碟上無需移動磁頭就能存取的所有磁軌。
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資料可靠性
系統或元件在指定情況下，於指定時期中執行所需功能的能力。需要執行特殊測試 (檢定)，才能預測產品生命週期中的效能。
資料保留：
可以從非易失性記憶體確實擷取寫入資料的最久期限。
瑕疵：
晶體中化學或結構不規則，導致理想晶體結構品質降低，或晶圓產生薄膜。
晶粒：
特定功能的積體電路的組合，矽晶圓會印上數百個晶粒。裸晶粒無法封裝。
電介質：
用來描寫非金屬以及非金屬與電子、磁性或電磁領域之互動的絕緣層，包括電子與磁性能源的儲存與消散。電介質的相關假設可以用來說明電子、固態與光學實體中的許多現象。
干擾錯誤：
在讀取或寫入操作期間顛倒位元價值。
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EEPROM (電子可抹除式可程式化唯讀記憶體)：
這是舊版的非易失性記憶體。
封裝：
以電路包裝晶粒的程序，目的在於保護機械與環境。
耐久性：
快閃記憶體在不危及資料可靠性的前提下，可以執行寫入/清除循環的次數。
EPROM (可抹除式可程式化唯讀記憶體)：
這是舊版的非易失性記憶體。
錯誤偵測/修正碼 (EDC/ECC)
偵測錯誤，然後使用額外位元重建原始資料來修正錯誤，並延長資料保留的時間。
蝕刻：
微製技術，能在製造過程中，以化學方式從晶圓表面移除層次。蝕刻是非常重要的程序，在晶圓製造的諸多步驟中會重複進行蝕刻，目的在於盡量減少瑕疵數量。使用可以抗蝕刻的光罩，就能保護晶圓部分不受蝕刻劑傷害。在某些情況下，光罩就是微影製程打樣程序中使用的光阻。在其他情況中則採用氮化矽，這是更耐用的材料
ExtremeFFS™*(Extreme
快閃檔案系統)
ExtremeFFS™* 技術有潛力提高隨機寫入效能，因此可在使用 Windows XP 或 Windows 7
等作業系統的 PC 中延長 SanDisk(R) G3 SSD 的耐久性。ExtremeFFS
運用的嶄新快閃管理方法是以下列設計元素為基礎：
- 資料頁式演算法：ExtremeFFS
採用資料頁式演算法，實體和邏輯位置間沒有固定的耦合。因此 SanDisk® SSD
可以選擇最方便有效的磁區，自由儲存寫入資料。
- 全面無阻斷架構：NAND
通道能依用戶活動要求獨立運作，當其他通道正在等候並收集廢棄項目時，NAND 通道也能讀取一些資料。
*ExtremeFFS 是 SanDisk
基於網頁的快閃式管理算法，可以優化當前廣泛使用的操作系統，並能夠極大地提高 SSD
的隨機寫入速度和效率，因此不但提高了效能，而且還延長了電腦內 SSD 的耐用能力。
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製造廠：
半導體晶圓製造廠。
快閃記憶體：
非易失性半導體記憶體，由 1
個電晶體記憶架構單元組成。其記憶機制是將電荷儲存至閘極電介質中。電晶體上的第二個閘極能儲存資料，同時以電子方式消除記憶體的定義區塊。
浮動閘：
即使沒有連接電源供應器，也能延長電荷的儲存時間。儲存在浮動閘中的電子是由臨界電壓感測。
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閘極：
電極，可以調節金屬氧化半導體 (MOS) 電晶體中的電流。
閘極氧化層：
純粹、無瑕疵、熱能上升的氧化薄層， 在排出與來源之間的 MOSFET 中扮演電介質層的角色。
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磁頭 (又稱存取臂)：
在硬碟的磁盤表面寫入/讀取資料。每個磁頭負責單一磁盤的單邊。
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晶錠：
半導體產業中以矽製成的材料，處理後的晶錠會變成單一晶體矽。接著將其切割磨光，變成晶圓，可以製成微處理器或記憶體裝置等。
每秒輸入/輸出 (IOPS)：
每秒執行操作 (例如讀取或寫入) 的測量數字。固態磁碟存取隨機檔案時的 IOPS 高於傳統硬碟。
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JEDEC (美國電子工程設計發展聯合協會)
領導固態產業標準的開發機構，分別由 295 家公司組成的 50 個 JEDEC
委員會來運作，其成員係由組成機構的公司所指派擔任，人數超過 3000 人。
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延遲：
系統執行指定操作前的延遲。
位準：
定義位元類比值的邏輯方式。1 位元需要 2 個位準。
微影製程：
一種微製技術，用來設計積體電路與微機電系統的樣式。本詞彙是從印刷產業 (文字或插圖)
修改而來，在印刷界，微影製程稱為平版印刷術，代表使用油脂或阿拉伯膠，將平順的表面分隔為接受墨水的親水區，以及拒絕墨水，並成為背景的疏水區。
邏輯區塊位址 (LBA)：
不使用磁柱、磁頭及磁區編號 (CHS) 來指定位址，而是改以線性方式為區塊編號的方法。LBA
通常會取代傳統的區塊位址指定方法，但目前的固態磁碟與硬碟仍舊同時支援兩種方法。
LDE (資料長期耐久性)：
簡單的數據標準，能根據一般終端用戶的活動，決定固態磁碟 (SSD) 的耐久性。LDE 是由 SanDisk 提出 (於 2008 年
10 月送交 JEDEC)，能讓用戶比較不同 SSD 產品的資料耐久性。LDE 可以測量 SSD
生命週期中的資料寫入總數，單位為兆位元組。SanDisk 提供加速測試的方法。
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光罩：
一塊玻璃板或石英板，內含晶圓樣式的攝影影像，能定義單一處理層。光罩暴露在感光層上，遮蓋晶圓表面，藉此從多種製程中曝光/隱藏所選的區域。
平均故障間隔時間 (MTBF)
發生故障的平均間隔時間。
平均故障時間 (MTTF)
第一次發生故障的時間。用於第一次故障通常就無可挽回的系統。
記憶單元：
位元線與字元線的交叉點，能確認資料儲存的位置。
MOSFET (金屬氧化半導體場效電晶體)：
用來增強或轉換電子訊號的裝置， 目前是數碼與類比電路中最常見的場效電晶體。MOSFET 由 N 型或 P
型半導體材料的通道組成
微米：
線性測量的單位，等於百萬分之一公尺或 10,000 埃。
摩爾定律：
本定律是根據 1965 年提出的預測而制訂，聲明電晶體的密度每一年半到兩年就會加倍。這項定律促成了積體電路微型化。
多層單元 (MLC)：
單一單元中儲存超過一個位元，例如 D2、D3、x4。
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NAND 快閃記憶體：
非易失性記憶體，能連續存取記憶單元、比 NOR 快閃記憶體更能有效利用矽，因此每 GB 的成本更低、寫入速度比 NOR
快閃記憶體更快，非常適合用於大量資料儲存。
非易失性記憶體 (NVM)：
一種記憶體，即使沒有電力仍然可以保存資料。
NOR 快閃記憶體：
非易失性記憶體，能直接存取每個記憶單元，利用矽的效率低於 NAND 快閃記憶體，因此每 GB
的成本更高、隨機存取速度較快，但寫入速度低於 NAND 快閃記憶體，非常適合用於開機碼儲存，
N 型：
半導體材料，具備負電傳導性，以及過量電子。
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單次可程式化 (OTP)
僅能寫入一次的記憶體，而且無法清除，沒有讀取限制。
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資料頁：
NAND 快閃記憶體中的最小寫入單位。
磁盤：
硬碟中使用的旋盤。資料由磁頭寫入磁盤表面底部的上端。
印刷電路板 (PCB)
由某些特定電介質、低成本絕緣材質組成的板子，能以機械方式支援電子元件，並以電子方式連接電子元件。PCB
使用傳導路徑或痕跡，這是從銅薄板蝕刻後，然後在非傳導的基板上製成薄片。
P 型：
半導體材質，具備正電傳導性，電子不足，通常是摻入硼所製成。
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隨機存取：
在同量時間中沒有特殊順序下，連續存取所有要素的能力。
隨機存取記憶體 (RAM)
易失性記憶體，能以任意的順序從任意的位置讀取/寫入。
可靠性：
在指定時間的特定狀況下，產品執行其特定功能的可能性。
每分鐘轉數 (RPM)：
根據磁碟的每分鐘轉數，測量硬碟速度。
轉動延遲：
硬碟與磁頭下的磁區校準的轉動延遲 (計算為全程轉動板子的一半時間)。
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磁區：
硬碟磁盤上的圓餅狀薄片，包含可以寫入/讀取資料的最低可定址區
搜尋時間：
磁頭到達硬碟上想要的磁軌的時間。
半導體：
具備電子傳導特徵的固體物質，介於導體與絕緣體之間。
矽：
週期表上的元素，用來製造半導體。
單層單元 (SLC)：
單一位元儲存在單一單元中。
切割：
將晶圓切割為個別晶粒的程序
加速時間：
加速硬碟到操作速度的所需時間。
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臨界電壓：
感測浮動閘中的電子，並做為閘極電壓，讓電流流動。
磁軌：
硬碟磁盤表面上的輕薄同心圓，用來協助確認資料的位置。
電晶體：
半導體，做為擴大機或電子控制的開關使用，是電腦、手機與其他現代電子裝置中基本電路的基礎單位。電晶體由半導體材料製成，至少有三個接頭能連接外部電路。用於兩個接頭的電壓或電流會透過另一組接頭改變電流。因為受控制的電力可能比控制的電力更強大，因此電晶體會提供強化的訊號。
攫取的電荷：
閘極氧化層中攫取的電荷會組成部分程序，啟用非易失性記憶體。
TRIM：
TRIM 會通知 SSD 未使用的媒體空間，並讓 SSD 持續管理其資源，讓 SSD
終其一生保有最佳效能，因此能大幅提升產品效能。
穿隧：
物理現象，電子穿過絕緣層或兩導體間的斷層。穿隧是 NAND 快閃記憶體寫入與清除作業的基礎。
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易失性記憶體：
一種記憶體，沒有電力時會遺失資料。
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晶圓：
從半導體晶體 (例如矽) 切下的薄片 (平行表面)。矽晶圓是從矽錠製作而來。
平均磨損：
一種技術，能從重複的寫入/清除循環中，將資料平均分散至整個快閃媒體，藉此防止特定區塊損耗，延長快閃記憶體的使用壽命。平均磨損尤其與一般檔案系統
(例如 DOS FAT 檔案系統) 和檔案管理演算法 (重複寫入/清除相同的實體區) 息息相關。
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產量：
晶圓上良好晶粒與 總晶粒數的百分比。